Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
DR Congo
Argentina
Turkey
Romania
Lithuania
Norway
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finland
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Montenegro
Taga ruso
Belgium
Sweden
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Moldova
Alemanya
Netherlands
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
Pransiya
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Portugal
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanya
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DDA114EK-7-F
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DDA114EK-7-F-DG
Paglalarawan:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
Detalyadong Paglalarawan:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
Imbentaryo:
RFQ Online
12882558
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DDA114EK-7-F Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Mga Array ng Bipolar Transistor, Pre-Biased
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10kOhms
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
-
Dalas - Paglipat
250MHz
kapangyarihan - Max
300mW
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
SOT-23-6
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-26
Base Numero ng Produkto
DDA114
Datasheet at Dokumento
Datasheet
DDA114EK-7-F
Mga Datasheet
DDA (zzzz) K
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
DDA114EU-7-F
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
16044
DiGi BAHAGI NG NUMERO
DDA114EU-7-F-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
IMB11AT110
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
4150
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IMB11AT110-DG
YUNIT PRESYO
0.06
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
RN2602(TE85L,F)
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2602(TE85L,F)-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
RN2607(TE85L,F)
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
4
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2607(TE85L,F)-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DDC114EU-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
ADC114YUQ-7
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
ADA114YUQ-13
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
DDA114TH-7
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563