DMG4N60SJ3
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMG4N60SJ3

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMG4N60SJ3-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Imbentaryo:

RFQ Online
12891862
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

DMG4N60SJ3 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
532 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
41W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-251
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
DMG4

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
75

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
diodes

DMP1009UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

diodes

DMN2020UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

diodes

DMN2040U-13

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1

diodes

DMN2029UVT-13

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26