DMG4N65CTI
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMG4N65CTI

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMG4N65CTI-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB

Imbentaryo:

12882720
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

DMG4N65CTI Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
8.35W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
ITO-220AB
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Numero ng Produkto
DMG4

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Standard na Pakete
50

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
TSM4ND65CI
TAGAPAGGAWA
Taiwan Semiconductor Corporation
DAMI NA BUMILI
1845
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TSM4ND65CI-DG
YUNIT PRESYO
1.04
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
diodes

BS170FTA

MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3

diodes

DMP21D0UFB-7

MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

diodes

DMNH4005SPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8

diodes

DMN2040UVT-7

MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R