Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMG4N65CTI
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMG4N65CTI-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Imbentaryo:
12882720
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMG4N65CTI Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
8.35W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
ITO-220AB
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Numero ng Produkto
DMG4
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TSM4ND65CI
TAGAPAGGAWA
Taiwan Semiconductor Corporation
DAMI NA BUMILI
1845
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TSM4ND65CI-DG
YUNIT PRESYO
1.04
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
