Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMG8N65SCT
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMG8N65SCT-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Imbentaryo:
12883489
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMG8N65SCT Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1217 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
125W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220AB (Type TH)
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
DMG8N65
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFP7N80PM
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP7N80PM-DG
YUNIT PRESYO
4.60
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
IXFP7N80P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
299
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP7N80P-DG
YUNIT PRESYO
2.31
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DMTH4004SCTB-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
DMN3007LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
