Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMJ70H600SH3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Imbentaryo:
12882196
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMJ70H600SH3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
700 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
643 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
113W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-251
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
DMJ70
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
75
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXTU8N70X2
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
64
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTU8N70X2-DG
YUNIT PRESYO
1.71
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DMTH3004LK3-13
MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
IRF9620STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
