DMN1019USNQ-7

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMN1019USNQ-7

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMN1019USNQ-7-DG

Paglalarawan:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

Imbentaryo:

RFQ Online

13002775

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

DMN1019USNQ-7 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Diodes Incorporated

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

12 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

9.3A (Ta)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

1.2V, 4.5V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50.6 nC @ 8 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2426 pF @ 10 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

680mW (Ta)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grade

Automotive

Kwalipikasyon

AEC-Q101

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

SC-59-3

Package / Kaso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Base Numero ng Produkto

DMN1019

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

31-DMN1019USNQ-7

Standard na Pakete

3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI

DMN1019USNQ-13

TAGAPAGGAWA

Diodes Incorporated

DAMI NA BUMILI

0

DiGi BAHAGI NG NUMERO

DMN1019USNQ-13-DG

YUNIT PRESYO

0.10

URI ng Palitan

Parametric Equivalent

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

vishay-siliconix

SQS182ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

diodes

DMN2710UFB-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

taiwan-semiconductor

TQM025NH04CR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TSM060NB06CZ C0G

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE