DMN2022UNS-13
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMN2022UNS-13

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMN2022UNS-13-DG

Paglalarawan:

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)

Imbentaryo:

12890073
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

DMN2022UNS-13 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tampok sa FET
-
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
kapangyarihan - Max
1.2W
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
8-PowerVDFN
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
PowerDI3333-8 (Type UXB)
Base Numero ng Produkto
DMN2022

Datasheet at Dokumento

Datasheet
Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
DMN2022UNS-13DITR
DMN2022UNS-13DICT
DMN2022UNS-13DIDKR
Standard na Pakete
3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8207(TE12L)

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N17FU(TE85L,F)

MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N44FE,LM

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N55NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN