DMN2710UT-13
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMN2710UT-13

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMN2710UT-13-DG

Paglalarawan:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Imbentaryo:

12999685
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

DMN2710UT-13 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
870mA (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
1.8V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
42 pF @ 16 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
320mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-523
Package / Kaso
SOT-523
Base Numero ng Produkto
DMN2710

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
31-DMN2710UT-13TR
Standard na Pakete
10,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
DMN2710UTQ-7
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
1532
DiGi BAHAGI NG NUMERO
DMN2710UTQ-7-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
vishay-siliconix

SI6423DQ-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

60N06

MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

goford-semiconductor

G7P03L

P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34

goford-semiconductor

GC11N65M

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263