Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMN3066LVT-7
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMN3066LVT-7-DG
Paglalarawan:
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 30 V 3.6A (Ta) 900mW Surface Mount TSOT-26
Imbentaryo:
13269108
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMN3066LVT-7 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
2.5V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 10 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
900mW
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Kwalipikasyon
-
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TSOT-26
Package / Kaso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
31-DMN3066LVT-7TR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IMZA75R027M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRLB3034PBFXKMA1
TRENCH <= 40V
IPD30N10S3L34ATMA2
MOSFET_(75V 120V(