Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMT6009LJ3

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMT6009LJ3-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Imbentaryo:

RFQ Online

12888550

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

DMT6009LJ3 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Diodes Incorporated

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

60 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

4.5V, 10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±16V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1925 pF @ 30 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-251 (Type TH)

Package / Kaso

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Base Numero ng Produkto

DMT6009

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

DMT6009LJ3DI

Standard na Pakete

75

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

diodes

DMG2305UX-7

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

diodes

DMT6006SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

diodes

DMG2307L-7

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

diodes

DMP26M7UFG-13

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333