Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMT6012LFDF-7
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMT6012LFDF-7-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Imbentaryo:
3000 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12949427
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMT6012LFDF-7 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
U-DFN2020-6 (Type F)
Package / Kaso
6-UDFN Exposed Pad
Base Numero ng Produkto
DMT6012
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DMN55D0UT-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
ZXMP6A17N8TC
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
