Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMTH6004SCTB-13

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMTH6004SCTB-13-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263

Imbentaryo:

790 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock

12888867

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

DMTH6004SCTB-13 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Diodes Incorporated

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

60 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

100A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4556 pF @ 30 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

4.7W (Ta), 136W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grade

Automotive

Kwalipikasyon

AEC-Q101

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-263

Package / Kaso

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Base Numero ng Produkto

DMTH6004

Datasheet at Dokumento

Datasheet

DMTH6004SCTB-13

Mga Datasheet

DMTH6004SCTB-13

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

DMTH6004SCTB-13DITR

DMTH6004SCTB-13DIDKR

DMTH6004SCTB-13DICT

DMTH6004SCTB-13-DG

Standard na Pakete

800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI

DMTH6004SCTBQ-13

TAGAPAGGAWA

Diodes Incorporated

DAMI NA BUMILI

667

DiGi BAHAGI NG NUMERO

DMTH6004SCTBQ-13-DG

YUNIT PRESYO

1.23

URI ng Palitan

Parametric Equivalent

BILANG NG BAHAGI

IPB034N06L3GATMA1

TAGAPAGGAWA

Infineon Technologies

DAMI NA BUMILI

1977

DiGi BAHAGI NG NUMERO

IPB034N06L3GATMA1-DG

YUNIT PRESYO

0.77

URI ng Palitan

MFR Recommended

BILANG NG BAHAGI

FDB029N06

TAGAPAGGAWA

Fairchild Semiconductor

DAMI NA BUMILI

5208

DiGi BAHAGI NG NUMERO

FDB029N06-DG

YUNIT PRESYO

3.77

URI ng Palitan

MFR Recommended

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

DMT8008LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23