Numero ng Produkto ng Tagagawa:

ZTX853QSTZ

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

ZTX853QSTZ-DG

Paglalarawan:

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

Detalyadong Paglalarawan:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Imbentaryo:

RFQ Online

12979368

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

ZTX853QSTZ Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

Bipolar (BJT), Single Bipolar Transistors

Tagagawa

Diodes Incorporated

Pagbabalot

Tape & Box (TB)

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Active

Uri ng Transistor

NPN

Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)

4 A

Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)

100 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 400mA, 4A

Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)

50nA

DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

kapangyarihan - Max

1.2 W

Dalas - Paglipat

130MHz

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 200°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Package / Kaso

E-Line-3, Formed Leads

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

E-Line (TO-92 compatible)

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

31-ZTX853QSTZTB

Standard na Pakete

4,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

ZTX450QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

microchip-technology

JANS2N3506AL

POWER BJT

diodes

BCP5416QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

microchip-technology

JANSD2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT