EPC7014UBC
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

EPC7014UBC

Product Overview

Tagagawa:

EPC Space, LLC

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

EPC7014UBC-DG

Paglalarawan:

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 1A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Imbentaryo:

149 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12974365
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

EPC7014UBC Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
EPC Space
Pagbabalot
Bulk
Serye
e-GaN®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (Max)
+7V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
-
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
4-SMD
Package / Kaso
4-SMD, No Lead
Base Numero ng Produkto
EPC7014

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
4107-EPC7014UBC
Standard na Pakete
169

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
panjit

PJD3NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M