EPC2016
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

EPC2016

Product Overview

Tagagawa:

EPC

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

EPC2016-DG

Paglalarawan:

GANFET N-CH 100V 11A DIE
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die

Imbentaryo:

12815126
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

EPC2016 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
EPC
Pagbabalot
-
Serye
eGaN®
Katayuan ng Produkto
Discontinued at Digi-Key
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
11A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 50 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
-
Temperatura ng Pagpapatakbo
-40°C ~ 125°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
Die
Package / Kaso
Die
Base Numero ng Produkto
EPC20

Datasheet at Dokumento

Datasheet
Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Standard na Pakete
2,500

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
EPC2016C
TAGAPAGGAWA
EPC
DAMI NA BUMILI
177045
DiGi BAHAGI NG NUMERO
EPC2016C-DG
YUNIT PRESYO
1.07
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
infineon-technologies

SIPC03N60C3X1SA1

TRANSISTOR N-CH

microchip-technology

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

infineon-technologies

IPD60R600CPBTMA1

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3

infineon-technologies

SPD02N80C3ATMA1

MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3