EPC2110ENGRT
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

EPC2110ENGRT

Product Overview

Tagagawa:

EPC

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

EPC2110ENGRT-DG

Paglalarawan:

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die

Imbentaryo:

RFQ Online
12795179
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

EPC2110ENGRT Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
EPC
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
eGaN®
Katayuan ng Produkto
Active
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Pag-configure
2 N-Channel (Dual) Common Source
Tampok sa FET
-
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
120V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.4A
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
kapangyarihan - Max
-
Temperatura ng Pagpapatakbo
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
Die
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
Die
Base Numero ng Produkto
EPC211

Datasheet at Dokumento

Datasheet
EPC2110ENGRT
Mga Datasheet
EPC2110

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Standard na Pakete
2,500

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
epc

EPC2106

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2105ENGRT

GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

epc

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

epc

EPC2110

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE