Numero ng Produkto ng Tagagawa:
GPI65008DF56
Product Overview
Tagagawa:
GaNPower
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
GPI65008DF56-DG
Paglalarawan:
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 8A Surface Mount Die
Imbentaryo:
100 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12974002
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
GPI65008DF56 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
GaNPower
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8A
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
63 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
-
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
Die
Package / Kaso
Die
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
4025-GPI65008DF56TR
Standard na Pakete
1
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
Not applicable
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Vendor Undefined
Katayuan ng REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
PJQ5413_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVMFS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
FDM6296-G
FDM6296 - TBD_25CH
