Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFC80N08
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFC80N08-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Imbentaryo:
12821502
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFC80N08 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
HiPerFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
230W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
ISOPLUS220™
Package / Kaso
ISOPLUS220™
Base Numero ng Produkto
IXFC80N08
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TK100E08N1,S1X
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
57
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK100E08N1,S1X-DG
YUNIT PRESYO
1.64
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
AOTF288L
TAGAPAGGAWA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
AOTF288L-DG
YUNIT PRESYO
0.75
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFE36N100
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
IXTP15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
