Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFH6N100F
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFH6N100F-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Imbentaryo:
12808977
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFH6N100F Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
HiPerFET™, F Class
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
180W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247 (IXFH)
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
IXFH6
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STW7N105K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
554
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW7N105K5-DG
YUNIT PRESYO
1.44
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
V30365-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
IPI45N06S4L08AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
TP2522N8-G
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
