Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFK120N25
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFK120N25-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Imbentaryo:
12819712
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFK120N25 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
HiPerFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
560W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-264AA (IXFK)
Package / Kaso
TO-264-3, TO-264AA
Base Numero ng Produkto
IXFK120
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
25
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFK140N30P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
202
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFK140N30P-DG
YUNIT PRESYO
13.24
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
IXTP15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
IXFQ24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO3P
