Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFN25N90
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFN25N90-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Imbentaryo:
12822312
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFN25N90 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
HiPerFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
600W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Chassis Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-227B
Package / Kaso
SOT-227-4, miniBLOC
Base Numero ng Produkto
IXFN25
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
10
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
APT32F120J
TAGAPAGGAWA
Microchip Technology
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
APT32F120J-DG
YUNIT PRESYO
52.03
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXFN40N90P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFN40N90P-DG
YUNIT PRESYO
29.98
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRF3707
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
IRFR1010ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFZ24NSTRL
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
