Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFP12N50P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFP12N50P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
300 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12911749
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
OVJK
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFP12N50P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
HiPerFET™, Polar
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
200W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
IXFP12
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
-IXFP12N50P
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRFU1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
SI7230DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
IRFB9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
