Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFQ10N80P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFQ10N80P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Imbentaryo:
12819961
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFQ10N80P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
HiPerFET™, Polar
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
300W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
IXFQ10
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STW10NK80Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
39
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW10NK80Z-DG
YUNIT PRESYO
2.27
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
APT11F80B
TAGAPAGGAWA
Microchip Technology
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
APT11F80B-DG
YUNIT PRESYO
4.07
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXTH12N120
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
IXFC14N80P
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
