IXFT13N100
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

IXFT13N100

Product Overview

Tagagawa:

IXYS

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

IXFT13N100-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Imbentaryo:

RFQ Online
12821864
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

IXFT13N100 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
HiPerFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
300W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-268AA
Package / Kaso
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Numero ng Produkto
IXFT13

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
IXFT13N100-NDR
Q2093962
Standard na Pakete
30

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IXFT18N100Q3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFT18N100Q3-DG
YUNIT PRESYO
14.17
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
littelfuse

IXFN40N90P

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B

littelfuse

IXTH12N100L

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

littelfuse

IXFK160N30T

MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA

littelfuse

IXTK250N10

MOSFET N-CH 100V 250A TO264