IXFT36N60P

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

IXFT36N60P

Product Overview

Tagagawa:

IXYS

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

IXFT36N60P-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 36A TO268

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 600 V 36A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Imbentaryo:

RFQ Online

12914556

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

IXFT36N60P Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Littelfuse

Pagbabalot

Tube

Serye

HiPerFET™, Polar

Katayuan ng Produkto

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

600 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

36A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5800 pF @ 25 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

650W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-268AA

Package / Kaso

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Base Numero ng Produkto

IXFT36

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

IXF(H,K,T)36N60P

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

30

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

vishay-siliconix

SI3417DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFR9310TRPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI7635DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFL210TRPBF

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223