Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFV96N15P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFV96N15P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 150 V 96A (Tc) 480W (Tc) Through Hole PLUS220
Imbentaryo:
12915472
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFV96N15P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
PolarHT™ HiPerFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
150 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
96A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
480W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
PLUS220
Package / Kaso
TO-220-3, Short Tab
Base Numero ng Produkto
IXFV96
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IPP200N15N3GXKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
10256
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPP200N15N3GXKSA1-DG
YUNIT PRESYO
1.32
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SI3447CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI7384DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
