Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFX32N100P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFX32N100P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Imbentaryo:
12821380
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
pqb3
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFX32N100P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
HiPerFET™, Polar
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
960W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
PLUS247™-3
Package / Kaso
TO-247-3 Variant
Base Numero ng Produkto
IXFX32
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STW22N95K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
590
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW22N95K5-DG
YUNIT PRESYO
3.77
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFV26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
IXTV36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
IXTA32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO263
