Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXTP1N100
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXTP1N100-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12822240
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXTP1N100 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
54W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
IXTP1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFP4N100P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP4N100P-DG
YUNIT PRESYO
2.40
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFK32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFK90N20Q
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
