Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXTQ18N60P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXTQ18N60P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Imbentaryo:
12821417
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXTQ18N60P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
Polar
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
360W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
IXTQ18
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FCH041N60F
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
365
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FCH041N60F-DG
YUNIT PRESYO
7.37
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXFH13N90
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
