Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
DR Congo
Argentina
Turkey
Romania
Lithuania
Norway
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finland
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Montenegro
Taga ruso
Belgium
Sweden
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Moldova
Alemanya
Netherlands
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
Pransiya
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Portugal
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanya
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXTT110N10P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXTT110N10P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Imbentaryo:
RFQ Online
12821188
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXTT110N10P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
Polar
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3550 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
480W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-268AA
Package / Kaso
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Numero ng Produkto
IXTT110
Datasheet at Dokumento
Datasheet
IXTT110N10P
Mga Datasheet
IXT(Q,T)110N10P
Building, Home Automation Appl Guide
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFN100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
IXFT32N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
IXFH50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO247