Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXTU1R4N60P
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXTU1R4N60P-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Imbentaryo:
12818879
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXTU1R4N60P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
PolarHV™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-251AA
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
IXTU1
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
75
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD1NK60-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5751
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD1NK60-1-DG
YUNIT PRESYO
0.38
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD2HNK60Z-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3054
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD2HNK60Z-1-DG
YUNIT PRESYO
0.51
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
