Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXTV200N10T
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXTV200N10T-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Imbentaryo:
12821489
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
emwB
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXTV200N10T Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
-
Serye
TrenchMV™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
200A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
550W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
PLUS220
Package / Kaso
TO-220-3, Short Tab
Base Numero ng Produkto
IXTV200
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF100B201
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2527
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF100B201-DG
YUNIT PRESYO
1.56
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO247
IXFQ60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
