2N6770

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

2N6770

Product Overview

Tagagawa:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

2N6770-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Imbentaryo:

RFQ Online

13258432

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

2N6770 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Microsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

500 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

12A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-3

Package / Kaso

TO-204AE

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

2N6764,66,68,70

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

150-2N6770

2N6770-ND

Standard na Pakete

1

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

RoHS non-compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

microchip-technology

MSC035SMA070S

MOSFET N-CH 700V D3PAK

microsemi

APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

microchip-technology

APT84M50L

MOSFET N-CH 500V 84A TO264