2N6770T1
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

2N6770T1

Product Overview

Tagagawa:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

2N6770T1-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA

Imbentaryo:

13265181
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

2N6770T1 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Microsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-254AA
Package / Kaso
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Base Numero ng Produkto
2N6770

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
2N6770T1-ND
150-2N6770T1
Standard na Pakete
1

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
microsemi

2N7227

MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

microchip-technology

APT4014BVFRG

MOSFET N-CH 400V 28A TO247

microchip-technology

APT37F50B

MOSFET N-CH 500V 37A TO247

mosleader

SM2323PSAC-TRG-ML

P -30V -2.9A SOT-23