Numero ng Produkto ng Tagagawa:
2N6796
Product Overview
Tagagawa:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
2N6796-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Imbentaryo:
13247001
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
2N6796 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Microsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-39
Package / Kaso
TO-205AF Metal Can
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2N6796-ND
150-2N6796
Standard na Pakete
1
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
JANSR2N7380
MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
APTC60DAM35T1G
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
APT77N60BC6
MOSFET N-CH 600V 77A TO247
