2N6849

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

2N6849

Product Overview

Tagagawa:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

2N6849-DG

Paglalarawan:

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

Detalyadong Paglalarawan:

P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Imbentaryo:

RFQ Online

13249919

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

2N6849 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Microsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

P-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

100 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

6.5A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34.8 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-39

Package / Kaso

TO-205AF Metal Can

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

2N6849-ND

150-2N6849

Standard na Pakete

1

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

RoHS non-compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

microchip-technology

APT50M85JVFR

MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP

microsemi

APT130SM70B

SICFET N-CH 700V 110A TO247-3

microchip-technology

APT10035B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

microchip-technology

APT20M22LVRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264