Numero ng Produkto ng Tagagawa:
JAN2N1016B
Product Overview
Tagagawa:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
JAN2N1016B-DG
Paglalarawan:
TRANS NPN 100V 7.5A TO82
Detalyadong Paglalarawan:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82
Imbentaryo:
12925118
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
JAN2N1016B Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Single Bipolar Transistors
Tagagawa
Microsemi
Pagbabalot
-
Serye
Military, MIL-PRF-19500/102
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng Transistor
NPN
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 2A, 4V
kapangyarihan - Max
150 W
Dalas - Paglipat
-
Temperatura ng Pagpapatakbo
-65°C ~ 150°C (TJ)
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-82
Base Numero ng Produkto
2N1016
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
1086-16070-DG
1086-16070-MIL
150-JAN2N1016B
1086-16070
Standard na Pakete
1
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
MPSA27
TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO92
JAN2N1016D
TRANS NPN 200V 7.5A TO82
JANTXV2N2218AL
TRANS NPN 50V 0.8A TO5
