Numero ng Produkto ng Tagagawa:

JAN2N6770

Product Overview

Tagagawa:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

JAN2N6770-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)

Imbentaryo:

RFQ Online

12924349

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

JAN2N6770 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Microsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

500 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

12A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grade

Military

Kwalipikasyon

MIL-PRF-19500/543

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-204AE (TO-3)

Package / Kaso

TO-204AE

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

2N6764,66,68,70

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

JAN2N6770-MIL

JAN2N6770-DG

150-JAN2N6770

Standard na Pakete

1

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

RoHS non-compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

JANTXV2N7224

MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA

onsemi

FDD107AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252

vishay-siliconix

IRFBC30ASTRRPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

onsemi

FDS6294

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC