Numero ng Produkto ng Tagagawa:
GAN063-650WSAQ
Product Overview
Tagagawa:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
GAN063-650WSAQ-DG
Paglalarawan:
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
Imbentaryo:
582 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12830466
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
GAN063-650WSAQ Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Nexperia
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
34.5A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
143W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247-3
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
GAN063
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
1727-8711-6INACTIVE
5202-GAN063-650WSAQTR
1727-8711-6-DG
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-DG
1727-8711-1-DG
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-GAN063-650WSAQ
934660022127
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
BUK7277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
