Numero ng Produkto ng Tagagawa:
PMN25ENEH
Product Overview
Tagagawa:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
PMN25ENEH-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Imbentaryo:
12919167
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
PMN25ENEH Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Nexperia
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
597 pF @ 15 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
6-TSOP
Package / Kaso
SC-74, SOT-457
Base Numero ng Produkto
PMN25
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
934660264125
5202-PMN25ENEHTR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
PMN25ENEAH
TAGAPAGGAWA
Nexperia USA Inc.
DAMI NA BUMILI
2994
DiGi BAHAGI NG NUMERO
PMN25ENEAH-DG
YUNIT PRESYO
0.09
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SUM70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
SIHG33N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
SI7457DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8