Numero ng Produkto ng Tagagawa:
2SK4124-1E
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
2SK4124-1E-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Imbentaryo:
12833741
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
2SK4124-1E Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
20A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P-3L
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
2SK4124
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFQ20N50P3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
294
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFQ20N50P3-DG
YUNIT PRESYO
2.40
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
FDA16N50-F109
TAGAPAGGAWA
Fairchild Semiconductor
DAMI NA BUMILI
270
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FDA16N50-F109-DG
YUNIT PRESYO
1.50
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
5HP01M-TL-H
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
2SK4087LS-1E
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220F-3FS
BUK7880-55/CUF
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
