2SK4209

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

2SK4209

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

2SK4209-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Imbentaryo:

RFQ Online

12832685

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

2SK4209 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

800 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

12A (Ta)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

1.08Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500 pF @ 30 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

2.5W (Ta), 190W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-3PB

Package / Kaso

TO-3P-3, SC-65-3

Base Numero ng Produkto

2SK4209

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

100

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI

FQA13N80-F109

TAGAPAGGAWA

onsemi

DAMI NA BUMILI

76

DiGi BAHAGI NG NUMERO

FQA13N80-F109-DG

YUNIT PRESYO

2.65

URI ng Palitan

Similar

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

2SK3704

MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML

nexperia

BUK7Y3R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

nexperia

PSMN2R5-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9509-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB