2SK4210
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

2SK4210

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

2SK4210-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Imbentaryo:

12836327
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

2SK4210 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PB
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
2SK4210

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Standard na Pakete
100

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
TK9J90E,S1E
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK9J90E,S1E-DG
YUNIT PRESYO
1.07
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDB38N30U

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

onsemi

FCA20N60F

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

onsemi

FDI2532

MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK

onsemi

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK