Numero ng Produkto ng Tagagawa:
2SK4210
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
2SK4210-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Imbentaryo:
12836327
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
2SK4210 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PB
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
2SK4210
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Standard na Pakete
100
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TK9J90E,S1E
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK9J90E,S1E-DG
YUNIT PRESYO
1.07
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
