Numero ng Produkto ng Tagagawa:
EFC4612R-TR
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
EFC4612R-TR-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 24 V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Imbentaryo:
12847510
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
EFC4612R-TR Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
24 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
-
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.6W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
EFCP1313-4CC-037
Package / Kaso
4-XFBGA
Base Numero ng Produkto
EFC4612
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
EFC4612R-TROSDKR
2156-EFC4612R-TR-ONTR
ONSONSEFC4612R-TR
EFC4612R-TROSCT
EFC4612R-TR-DG
EFC4612R-TROSTR
Standard na Pakete
5,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SI8816EDB-T2-E1
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SI8816EDB-T2-E1-DG
YUNIT PRESYO
0.10
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
EFC3J018NUZTDG
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
3146
DiGi BAHAGI NG NUMERO
EFC3J018NUZTDG-DG
YUNIT PRESYO
0.35
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDD3N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
AO6414
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6TSOP
BFL4004
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI
