EFC6601R-TR

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

EFC6601R-TR

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

EFC6601R-TR-DG

Paglalarawan:

MOSFET 2N-CH EFCP2718

Detalyadong Paglalarawan:

Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020

Imbentaryo:

RFQ Online

12838846

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

EFC6601R-TR Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Active

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Pag-configure

2 N-Channel (Dual)

Tampok sa FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

-

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

-

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

-

kapangyarihan - Max

2W

Temperatura ng Pagpapatakbo

150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Package / Kaso

6-XFBGA, FCBGA

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

EFCP2718-6CE-020

Base Numero ng Produkto

EFC6601

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

EFC6601R-TROSCT

2156-EFC6601R-TR-OS

ONSONSEFC6601R-TR

EFC6601R-TR-DG

EFC6601R-TROSDKR

EFC6601R-TROSTR

Standard na Pakete

5,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

FDW2507N

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

onsemi

ECH8660-S-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8

onsemi

FDS6984AS

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

onsemi

FDG6321C-F169

MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6