Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCA22N60N
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCA22N60N-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Imbentaryo:
12850640
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCA22N60N Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
SupreMOS™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
205W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PN
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FCA22N60
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2832-FCA22N60N
FCA22N60NOS
FCA22N60N-DG
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFQ50N60P3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFQ50N60P3-DG
YUNIT PRESYO
5.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
AON6440
MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
FQPF12P20XDTU
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F
