Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCD4N60TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCD4N60TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
10613 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12850381
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCD4N60TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
SuperFET™
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FCD4N60
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FCD4N60TM
Mga Datasheet
FCD4N60
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TK6P65W,RQ
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
58
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK6P65W,RQ-DG
YUNIT PRESYO
0.47
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD7N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
14171
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD7N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.50
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD6N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD6N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.50
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPD80R1K0CEATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2125
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD80R1K0CEATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.58
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
IPP80N06S4L05AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQPF20N06
MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
AO4411L
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO