FCD4N60TM
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FCD4N60TM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FCD4N60TM-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Imbentaryo:

10613 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12850381
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FCD4N60TM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
SuperFET™
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FCD4N60

Datasheet at Dokumento

Datasheet
FCD4N60TM
Mga Datasheet
FCD4N60

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR
Standard na Pakete
2,500

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
TK6P65W,RQ
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
58
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK6P65W,RQ-DG
YUNIT PRESYO
0.47
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD7N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
14171
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD7N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.50
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD6N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD6N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.50
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPD80R1K0CEATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2125
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD80R1K0CEATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.58
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQPF13N10

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F

infineon-technologies

IPP80N06S4L05AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

onsemi

FQPF20N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411L

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO