Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCD850N80Z
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCD850N80Z-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
15910 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839201
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCD850N80Z Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
SuperFET® II
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
75W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FCD850
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FCD850N80ZDKR
FCD850N80ZDKR-DG
FCD850N80ZTR
FCD850N80ZCT
FCD850N80ZDKRINACTIVE
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SPD06N80C3ATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SPD06N80C3ATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.78
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IPD60R800CEAUMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2503
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD60R800CEAUMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.27
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IPD60R600C6ATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
9634
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD60R600C6ATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.50
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IPD60R600P6ATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
4899
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD60R600P6ATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.51
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IPD60R2K1CEAUMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
10286
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.17
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQD2P40TM
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
HUF75939P3
MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
FQPF1N50
MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
