Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCH099N60E
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCH099N60E-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Imbentaryo:
RFQ Online
12846675
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCH099N60E Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
SuperFET® II
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
37A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3465 pF @ 380 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
357W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247-3
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
FCH099
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FCH099N60E
Mga Datasheet
FCH099N60E
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FCH099N60E-OS
ONSONSFCH099N60E
Standard na Pakete
450
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TSM60NB099PW C1G
TAGAPAGGAWA
Taiwan Semiconductor Corporation
DAMI NA BUMILI
2055
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TSM60NB099PW C1G-DG
YUNIT PRESYO
4.18
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STW30N65M5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
573
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW30N65M5-DG
YUNIT PRESYO
3.03
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPW65R125C7XKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
80
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPW65R125C7XKSA1-DG
YUNIT PRESYO
2.31
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
SCT3080ALGC11
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
1587
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SCT3080ALGC11-DG
YUNIT PRESYO
6.38
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXKH35N60C5
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
117
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXKH35N60C5-DG
YUNIT PRESYO
6.79
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AO4406
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDMC86324
MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
FQPF6N25
MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
FDR842P
MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8