Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCI25N60N
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCI25N60N-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
12835799
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCI25N60N Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
SupreMOS™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
216W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FCI25
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IPI60R099CPXKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
500
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPI60R099CPXKSA1-DG
YUNIT PRESYO
3.99
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPI60R125CPXKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
490
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPI60R125CPXKSA1-DG
YUNIT PRESYO
3.00
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
BBL4001
MOSFET N-CH 60V 74A TO220-3 FP
2N7002MTF
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2N7002-G
FET 60V 5.0 OHM SOT23
